Microscopio de rayos X de súper-resolución permite la observación del interior celular

Esta característica clave hace posible registrar patrones de difracción detallados mientras la muestra es escaneada a través del punto focal del rayo. Por el contrario, los microscopios convencionales de barrido de rayos X miden únicamente la intensidad total transmitida.

Los microscopios electrónicos de barrido convencionales pueden suministrar imágenes de alta resolución, pero usualmente solamente para la superficie de la muestra, que debe ser mantenida al vacío. El nuevo microscopio con súper resolución permite que los científicos miren en la profundidad de las muestras biológicas o los semiconductores sin alterarlos. Puede ser usado para caracterizar de manera no destructiva los defectos en nanómetros en los equipos semiconductores enterrados, y ayudar a mejorar la producción y desempeño de equipos semiconductores futuros con características de centésimas de nanómetros.

El poder de penetración de los rayos-x puede ser usado para investigar, células incrustadas o estructuras subcelulares. El método también puede ser transferido a luz electrónica o láser visible, y ayudar en el diseño de microscopios de luz y electrónicos, mejores.

El microscopio fue desarrollado por un equipo de científicos del Instituto Paul Scherrer (PSI; Villigen PSI, Suiza) y la Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL; Lausana, Suiza). Los científicos han estado trabajando en conceptos de microscopía de súper-resolución para electrones y rayos-x por muchos años. El profesor de la EPFL y líder del equipo, Franz Pfeiffer, dijo: "Sólo la construcción de un instrumento dedicado de millones de francos suizos en la Fuente de Luz Suiza, en PSI, nos permitió lograr la estabilidad necesaria para implementar nuestro método nuevo en la práctica”.

Enlaces relacionados:
Paul Scherrer Institut
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne